同机构人员：

• 董建荣
  董建荣 研究员 1996年2月在中国科学院半导体研究所获得半导体物理与器件博士学位；1996年3月至1997年8月在中国科学院半导体研究所工作，从事MBE生长GaAs基HEMT及InAs/GaAs研究......