陈小龙
1964年5月生，1984毕业于山东工业大学铸80班，1987年在哈尔滨工业大学获工科硕士学位，1991年毕业于中国科学院物理研究所，获理学博士学位。德国海德堡（Heidelberg）大学和巴洛意特（Bayreuth）大学洪堡学者，1999年国家杰出青年基金获得者，2003年转为中国科学院“百人计划”入选者。现任中国科学院物理研究所研究员，博士生导师。兼任中国晶体学会副理事长和粉末衍射专业委员会主任，国际衍射数据中心（International Center for Diffraction Data）中国区主席，中国物理学会理事，中国硅酸盐学会理事，北京市硅酸盐学会副理事长和晶体生长专业委员会主任，Powder Diffraction期刊编辑，物理杂志编委，国家基金委第十一、十二届工程与材料科学部专家评审组成员。
主要研究方向：新光电功能材料探索及晶体生长。
过去的主要工作及获得的成果：长期从事无机功能材料相关系、晶体结构和物性以及晶体生长方面的研究工作，先后主持承担了国家基金委重点项目、国家科技支撑计划、863项目和国家其它有关部门的项目18项。解决了大尺寸宽带隙半导体SiC晶体生长的关键科学问题，设计出具有自主知识产权的高温晶体生长炉，研制出高质量的2英寸和3英寸晶片，有关三项国家发明专利被评估为2553.87万元，作为无形资产与投资方合作，在国内率先开展了SiC晶体产业化工作，为打破国外垄断、满足国家重大战略需求、实现SiC晶体的国产化奠定了基础；发现一系列新化合物，发展了多晶衍射数据结构分析方法，向国际衍射数据中心(ICDD)提交100余个新化合物的衍射数据，并被接受为标准参考数据。在国际上首先生长出纳米带新颖纳米结构。在国际SCI刊物上发表论文200余篇，共被引用2000余次（h因子21），其中单篇最高引用136次；合著专著“高Tc氧化物超导体系的相关系和晶体结构”一本；申请国家发明专利24项，其中已授权专利15项；有100余个新化合物的衍射数据被国际衍射数据中心收录进ICDD－PDF卡片，成为标准衍射数据。2009年2月获国务院政府特殊津贴。2007被授予ICDD Fellow称号，2005年获教育部提名国家自然科学奖一等奖（排名第二），1998年获冶金部科技进步二等奖（排名第三），1998年获中国硅酸盐学会第三届青年科技奖，1995年获第七届全国优秀科技图书二等奖（排名第三）。
目前的研究课题及展望：
1.宽带隙半导体GaN，SiC等晶体生长及其低维材料的制备和物性；
2.新型光电功能材料的探索，晶体生长和物性；
3.多晶X射线结构分析和应用；
4.石墨烯（Graphene）制备和物性研究。
培养研究生情况：已毕业博士生21名（合作培养4名），在读研究生12名。