李洪星，男，1990年出生，湖南邵阳人，理学博士。
2012年6月毕业于湖南师范大学物理专业，获理学学士学位；
2017年6月毕业于中科院武汉物理与数学研究所原子分子物理专业，获理学博士学位；
2017年8月进入长沙理工大学物理与电子科学学院从事教学与科研工作。
主要研究方向：二维材料的电子结构、磁性质等的第一性原理计算。
已发表论文：
1. Hongxing Li, Yuan-Kai Xu, Zi-Peng Cheng, Bin-Guang He and Wei-Bing Zhang*, Spin-dependent Schottky barriers and vacancy-induced spin-selective Ohmic contacts in magnetic vdW heterostructures, Phys. Chem. Chem. Phys., (2020), 22, 9460-9466.
2. Hongxing Li, Yuan-Kai Xu, Kang Lai and Wei-Bing Zhang *，The enhanced ferromagnetism of single-layer CrX3 (X = Br and I) via van der Waals engineering Phys. Chem. Chem. Phys. 2019, 21, 11949-11955.
3. Hongxing Li, Min Huang*, Gengyu Cao*, Magnetic properties of atomic 3d transition-metal chains on S-vacancy-line templates of monolayer MoS2: effects of substrate and strain, J. Mater. Chem. C, 2017, 5, 4557-4564.
4. Hongxing Li, Min Huang*, Gengyu Cao*, Stability, bonding and electronic structures of halogenated MoS2 monolayer: a first-principles study, Physica E, 2017, 91, 8-14.
5. Hongxing Li, Min Huang*, Gengyu Cao, Markedly different adsorption behaviors of gas molecules on defective monolayer MoS2: a first-principles study, Phys. Chem. Chem. Phys. 2016, 18, 15110-15117.
承担课题：
1、国家自然科学基金理论物理专项，11847147，二维铁磁体CrI3磁性性质调控的理论研究，2019/01-2019/12，5万元，主持
2、湖南省自然科学基金青年项目，2019JJ50636，CrI3范德瓦尔斯异质结界面性质及缺陷调控的理论研究，2019/01-2021/12，5万元，主持
联系方式：
邮箱：lihx@csust.edu.cn