吴丽娟，女，汉族，四川乐山人，中共党员，博士，副教授。2005年于四川大学取得通信与信息系统的硕士学位。2012于电子科技大学取得微电子学与固体电子学的博士学位。2014年7月至今在长沙理工大学物理与电子科学学院工作。
主要研究方向
微电子学与固体电子学（功率半导体器件）。
主持国家自然科学基金青年项目、省教育厅科研项目和理工大学基金项目的研究。在国内外著名刊物如SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES ; ELECTRONICS LETTERS; CHIN.PHYS. LETT; CHIN.PHYS.B; JOURNAL OF SEMICONDUCTORS等刊物上以第一作者发表文章40余篇，其中SCI 20余篇。申请发明专利11项，专著1部。
从事研究生《半导体物理》、《半导体功率器件》和本科生《微电子器件》、《微电子工艺学》、《固体物理与半导体物理》等课程的教学工作。指导本科生创新项目2项，教改2项，其中省级重点项目1项，发表教改论文10余篇。
研究小组(PDL小组）每年招收硕士生2-4名。毕业的硕士研究生直接进入名企（如著名上海中芯国际、长江存储、长鑫存储、士兰集成电路公司等）担任项目工程师或研发工程师。同时每年指导本科毕业生10余名。欢迎对微电子器件设计和集成技术感兴趣的同学加入我们的研究队伍。
代表性论文
[1]Lijuan Wu*, Qilin Ding, Jiaqi Chen, Improved deep trench super-junction LDMOS breakdown voltage by shielded Silicon-Insulator-Silicon capacitor, Silicon，2020.
[2]Lijuan Wu*, Lin Zhu, Xing Chen,Variable-K double trenches SOI LDMOS with high-concentration P-pillar，Chin. Phys. B . 2020, 29(5): 057701 . doi: 10.1088/1674-1056/ab7e94.
[3]Lijuan Wu*, Lin Zhu, Xing Chen,Novel high-k SOI LDMOS with N+ buried layer, IETE Technical Review、2020.
[4]Lijuan Wu*, Qinlin Ding, Yinyan Zhang,Ye Huang, Lin Zhu, Bing Lei, A lateral double-diffusion metal oxide semiconductor device with a gradient charge compensation layer, Journal of Electronic Materials, pp 1–7,24 September 2019, Online ISSN 1543-186X,doi: 10.1007/s11664-019-07579-8.
[5]Lijuan Wu*, Ye Huang, Yiqing Wu, Lin Zhu, Bing Lei, Investigation of the stepped split protection gate L-Trench SOI LDMOS with ultra-low specific on-resistance by simulation, Materials Science in Semiconductor Processing, vol. 101, pp. 272-278, Oct. 2019, doi: 10.1016/j.mssp.2019.05.035.
[6]Lijuan Wu*, Yiqing Wu, Bing Lei, Yinyan Zhang, Ye Huang, Lin Zhu, PSJ LDMOS with a VK dielectric layer, Micro & Nano Letters, vol. 14, no. 6, pp. 600-603, 2019, ISSN：1750-0443. doi: 10.1049/mnl.2018.5467.
[7]Lijuan Wu*, Yiqing Wu, Yinyan Zhang, Bing Lei, Lin Zhu, Ye Huang. High-Voltage Lateral Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor with Double Superjunction, Journal of Electronic Materials,